Введение Настоящий «Тезаурус тематических рубрик по физике полупроводников» - страница 4

Е е
европий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

единичные гетеропереходы /электронный газ в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.46.19
В: полупроводниковые структуры с низкоразмерным электронным газом
Ж ж
жидкие кристаллы–электрические явления = состояние вещества, в котором оно обладает свойствами жидкости (текучестью) и некоторыми свойствами твёрдых кристаллов (анизотропией свойств) (БСЭ)
ББК В379.231.5
В: гетероструктуры полупроводников – электрические свойства

жидкий гелий
УДК 538.941
В: квантовые жидкости и тела
А: твёрдый гелий
З з
зависимость физических свойств полупроводников от размеров
ББК В379.1
В: физические свойства полупроводников

закон Джоуля-Ленца = определяет количество тепла Q, выделяющегося в проводнике при прохождении через него электрического тока: Q пропорционально сопротивлению R проводника, квадрату силы тока I в цепи и времени прохождения тока t, Q = aI2Rt. Здесь а — коэффициент пропорциональности, зависящий от выбранных единиц измерения; если / измеряется в амперах, R — в омах, t — в секундах, то при а = 0,239Q выражено в калориях, при а = 1 — в джоулях. (БСЭ)
УДК 537.321
В: тепловое действие электрического тока

закон Ома = устанавливает, что сила постоянного электрического тока I в проводнике прямо пропорциональна разности потенциалов (напряжению) U между двумя фиксированными точками (сечениями) этого проводника (БСЭ)
УДК 537.311.2
В: сопротивление и проводимость

законы Кирхгофа
УДК 537.313
В: электропроводность

запрещённая зона полупроводников = область энергии между верхним уровнем валентной зоны и нижним уровнем зоны проводимости, характеризуется отсутствием электронных состояний
С: энергетическая щель
В: энергетические зоны полупроводников

зонная структура полупроводников = наличие в структуре полупроводников различных зон, объясняющее законы движения носителей заряда в них
ББК В379.13
В: квантовая теория
А: зонная теория

зонная теория = раздел квантовой механики, рассматривающий движение электронов в твёрдом теле (БСЭ)
ББК В379.13
В: теория полупроводников
А: зонная структура полупроводников

зонный электронный спектр /полупроводников/
ВИНИТИ 291.19.31.15.15
В: энергетический спектр полупроводников
Н: зонный электронный спектр – влияние давления
Н: зонный электронный спектр – конечные размеры образца

зонный электронный спектр – влияние давления
ВИНИТИ 291.19.31.15.15.15
В: зонный электронный спектр /полупроводников/

зонный электронный спектр – конечные размеры образца
ВИНИТИ 291.19.31.15.15.17
В: зонный электронный спектр /полупроводников/
И и
излучательная рекомбинация в полупроводниках
ББК В379.249
ВИНИТИ 291.19.31.29.25.15
В: люминесценция поолупроводников
В: рекомбинация /в полупроводниках/

излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
УДК 538.97
В: излучения
В: физика конденсированного состояния
Н: излучение лазеров /действие на полупроводники/
Н: излучения - действие на проводимость

излучения /действие на проводимость/
УДК 537.312.5
В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
В: сопротивление и проводимость – действие внешних факторов
Н: инфракрасное излучение - действие на проводимость
Н: видимый свет - действие на проводимость
Н: ультрафиолетовое излучение - действие на проводимость
Н: рентгеновские лучи - действие на проводимость
А: радиационные эффекты в полупроводниках

излучение лазеров /действие на полупроводники/
ББК В379.24…
В: излучение - взаимодействие с конденсированным веществом
В: оптические свойства полупроводников

изотропия и анизотропия /электрических свойств/
УДК 537.226.5
Н: анизотропная электропроводность полупроводников
Н: анизотропные полупроводники

импеданс
УДК 537.311.6
В: сопротивление и проводимость
А: индуктивное сопротивление
А: сопротивление переменному току

индий и его соединения – полупроводниковые свойства
ББК 379.2
В: полупроводниковые свойства твёрдых тел
В: физика полупроводников

индуктивное сопротивление
УДК 537.311.6
В: сопротивление и проводимость
А: импеданс
А: сопротивление переменному току

инжекционные токи в полупроводниках
ББК В379.231
В: электрические свойства полупроводников

инжекция /кинетические явления в полупроводниках/
ВИНИТИ 291.19.31.21.35
В: кинетические явления /в полупроводниках/

интеркалирование полупроводников = введение в кристаллы слоистого типа дополнительных атомов, групп атомов или молекул между слоями для изменения физических свойств исходных кристаллов благодаря переносу элементов с интеркалированных атомов или молекул на слои
ББК В379.212.2
В: дефекты кристаллической решётки

интерференция /света в полупроводниках/ = сложение в пространстве двух (или нескольких) волн, при котором в разных точках получается усиление или ослабление амплитуды результирующей волны (БСЭ)
ББК В379.244
В: оптические свойства полупроводников

инфракрасное излучение - действие на проводимость = электромагнитное излучение, занимающее спектральную область между красным концом видимого света (с длиной волны l = 0,74 мкм) и коротковолновым радиоизлучением (l ~ 1—2 мм). (БСЭ)
УДК537.312.51
В: излучения - действие на проводимость

ионизация и пробой в полупроводниках
ВИНИТИ 291.19.31.21.33
В: кинетические явления /в полупроводниках/
Н: пробой в полупроводниках

ионизация /полупроводников/ = образование положительных и отрицательных ионов и свободных электронов из электрически нейтральных атомов и молекул (БСЭ)
ББК В379.231.3
В: ионные явления в полупроводниках
Н: ударная ионизация в полупроводниках

ионная имплантация полупроводников = легирование внедрением атомов в поверхностный слой путём бомбардировки поверхности ионами (обстрел, облучение пучком ускоренных ионов)
ББК В379.212.7
С: взаимодействие ионов см полупроводниками
В: взаимодействие проникающего излучения с твёрдыми телами
В: радиационные эффекты в полупроводниках

ионные явления в полупроводниках
ББК В379.231.3
В: электрические свойства полупроводников
Н: ионизация полупроводников
Н: электронная эмиссия /полупроводников/ (?)

ионный перенос в твёрдых телах
ГРНТИ 29.19.17
В: физика твёрдого тела

исследование поверхностных свойств полупроводников с помощью ФЭС
ВИНИТИ 291.19.31.37.19.15
В: фотоэлектронная спектроскопия /полупроводников/
Льготы Лекарственное обеспечение - страница 22,
IITHE POINT OF NO RETURN - The voice of valentino,
Урамках виконання Програми Президента Віктора януковича «Україна для людей» та Стратегії «Нова Сумщина-2015» в обласному центрі соціальної реабілітації дітей-інвалідів відкрито лікувально-фізкультурний комплекс,
Підгорна Людмила Михайлівна, 253-5307 e-mail: podqornaya1@moz gov ua   проект закон - страница 3,
В. М. Гальперин, С. М. Игнатьев, В. И. Моргунов "Микроэкономика" - страница 23,
Светлана Крошкина - «Новые банковские продукты» 25. 02. 2010 Он-лайн-конференция проводится совместно с журналом...,
Экзаменационные вопросы по дисциплине включены в рабочую программу по дисциплине (раздел II учебно-методического комплекса),
=Ипостаси)». Севир воспринимал человечество в «сложной природе» (= - Волков история христианства,
Кодекс законів про працю України(витяг) - страница 8,
1. Аналитическая работа. Основные социально-экономические показатели деятельности предприятия, наличие конкурентов и специфика их работы - страница 9,
Податковий кодекс україни - страница 23,
Программа Курганской области "Региональная энергетическая программа Курганской области на период до 2010 года" Основания для разработки - страница 23,
Глава 10 - Каждый раз, когда начинается сезон дождей, я вспоминаю о той обезьяне. Передо мной взлохмаченное море,
Тематические акции - План работы на 2012 год Благовещенск,
Закон сахалинской области от 14. 10. 2005 n 70-зо "о лекарственном обеспечении населения сахалинской области" - страница 48,
Программа ндп «Нур Отан» «ертеңІҢ Үшін аянба! » «100 видов семейного бизнеса» Iтом - страница 16,
Глава 20. ИСПОЛНЕНИЕ НАКАЗАНИЯ В ВИДЕ СОДЕРЖАНИЯ - Кодексу российской федерации (Постатейный) (С учетом практики...,
Конституцию Российской Федерации закон - страница 21,
Последние дни - О встрече по благословению Святейшего Патриарха Московского и всея Руси Алексия II,
Ведомственная целевая программа функционирования администрации городского округа «Город Йошкар-Ола» на 2009-2011 годы - страница 11,
Baltijas Starptautiskā Akadēmija - страница 2,
Российская академия наук российское философское общество секция «теория и методология творчества» - страница 8,
Муниципальное общеобразовательное учреждение - страница 3,
Додаток 3 до пункту 2.2 - Затверджено Наказ Міністерства освіти І науки України,